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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJT7838_R1_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：400mA
类型：2个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：WILLSEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：WNM3013-3/TR
工作温度：-55℃~+150℃
功率：380mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：1.6nC@10V
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：250mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：12pF@5V
导通电阻：1.2Ω@10v，450mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN55D0UT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：25pF@10V
连续漏极电流：160mA
类型：1个N沟道
导通电阻：4Ω@4V，100mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：950pC@4.5V
输入电容：36pF@25V
连续漏极电流：500mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.45Ω@500mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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