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    品牌: DIODES
    漏源电压: 50V
    阈值电压: 1.5V@250μA
    当前匹配商品:10+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
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    操作
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数9393000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数9393000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-7 起订数9000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-7 起订数9000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-7 起订数30000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-7 起订数30000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13 起订5000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LDW-13 起订5000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LDW-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:310mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:360mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:950pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:950pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订数5000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138K-13 起订数5000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:380mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:950pC@10V

    输入电容:23.2pF@25V

    连续漏极电流:310mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@220mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数100个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数100个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSN20-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:600mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:800pC@10V

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.8Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数30个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数30个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138-7-F 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数10个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138Q-7-F 起订数10个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:600pC@4.5V

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.6Ω@10V,500mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订数1000个
    DIODES Mosfet场效应管 BSS138W-7-F 起订数1000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:200mW

    阈值电压:1.5V@250μA

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    导通电阻:3.5Ω@10V,220mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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