采购热线 400-661-9010
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ANBON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84
工作温度：150℃
功率：225mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@30V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@150mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
阈值电压：2V@250µA
输入电容：30pF@5V
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
功率：225mW
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-TP
阈值电压：2V@250µA
导通电阻：8Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
功率：225mW
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
阈值电压：2V@250µA
输入电容：30pF@5V
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
类型：P沟道
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
功率：225mW
连续漏极电流：130mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-HF
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：130mA
输入电容：30pF@5V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-TP
导通电阻：8Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
输入电容：36pF@5V
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
栅极电荷：2.2nC@10V
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-TP
导通电阻：8Ω@100mA，10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
连续漏极电流：130mA
阈值电压：2V@250µA
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Comchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-HF
导通电阻：10Ω@100mA，5V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
阈值电压：2V@1mA
连续漏极电流：130mA
输入电容：30pF@5V
类型：P沟道
ECCN：EAR99
功率：225mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BVSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84KW-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：22pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SBSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：2.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：36pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：8Ω@100mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS84LT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：225mW
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@5V
连续漏极电流：130mA
类型：P沟道
导通电阻：10Ω@100mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
