采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"18+"：76000}
规格型号(MPN)：5LN01SS-TL-E
功率：150mW
栅极电荷：1.57nC@10V
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：100mA
输入电容：6.6pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：0.2A
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N05T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYE002N05TCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
输入电容：26pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：1606
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N05T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
工作温度：150℃
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYM002N05T2CL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N05T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RYE002N05TCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
类型：N沟道
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
输入电容：26pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RUM002N05T2L
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
工作温度：150℃
漏源电压：50V
类型：N沟道
连续漏极电流：200mA
阈值电压：1V@1mA
输入电容：25pF@10V
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
功率：150mW
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
工作温度：150℃
连续漏极电流：0.2A
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
阈值电压：800mV@1mA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：51000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01S-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：76000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01SS-TL-E
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：5LN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
栅极电荷：1.57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.6pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.8Ω@50mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：222000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：5HN01M-TL-H
工作温度：150℃
功率：150mW
ECCN：EAR99
栅极电荷：1.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.2pF@10V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：7.5Ω@50mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K17FU，LF
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：1.5V@1µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7pF@3V
连续漏极电流：100mA
类型：N沟道
导通电阻：20Ω@10mA，4V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RU1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RE1J002YNTCL
工作温度：150℃
功率：150mW
阈值电压：800mV@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：26pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：2.2Ω@200mA，4.5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
