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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
ECCN：EAR99
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-7
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
漏源电压：50V
功率：200mW
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：0.2A
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
类型：N-Channel
漏源电压：50V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：3.5Ω
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
功率：200mW
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：50V
类型：2N沟道（双）
功率：200mW
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
工作温度：-55℃~150℃
阈值电压：1.5V@250µA
输入电容：50pF@10V
漏源电压：50V
类型：N沟道
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：0.2A
类型：N-Channel
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DW-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
导通电阻：3.5Ω
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138DWQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSS138W-7-F
工作温度：-55℃~150℃
功率：200mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：200mA
类型：N沟道
导通电阻：3.5Ω@220mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
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