品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84DWQ-13
工作温度:-55℃~+150℃
功率:300mW
阈值电压:2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:45pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:2个P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA503T-T1-A
功率:300mW
阈值电压:2.5V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:17pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道
导通电阻:60Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":9000}
销售单位:个
规格型号(MPN):UPA503T-T1-A
功率:300mW
阈值电压:2.5V@1μA
ECCN:EAR99
输入电容:17pF@5V
连续漏极电流:100mA
类型:2个P沟道
导通电阻:60Ω@10mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:445mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:350pC@5V
输入电容:36pF@25V
连续漏极电流:160mA
类型:2个P沟道
导通电阻:7.5Ω@10V,100mA
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: