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    漏源电压
    50V
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    行业应用
    连续漏极电流
    漏源电压: 50V
    类型: 2个P沟道
    当前匹配商品:4
    商品信息
    参数
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    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装
    DIODES Mosfet场效应管 BSS84DWQ-13 起订28个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS84DWQ-13

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:45pF@25V

    连续漏极电流:130mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订1149个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA503T-T1-A

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@1μA

    ECCN:EAR99

    输入电容:17pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:60Ω@10mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 UPA503T-T1-A 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):UPA503T-T1-A

    功率:300mW

    阈值电压:2.5V@1μA

    ECCN:EAR99

    输入电容:17pF@5V

    连续漏极电流:100mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:60Ω@10mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKS,115 起订数30000个
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS84AKS,115 起订数30000个

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:445mW

    阈值电压:2.1V@250μA

    栅极电荷:350pC@5V

    输入电容:36pF@25V

    连续漏极电流:160mA

    类型:2个P沟道

    导通电阻:7.5Ω@10V,100mA

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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