品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":51000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01S-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):EM6K33T2R
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":76000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":42464}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01SS-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HN01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":12000,"14+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.5V@1µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@10mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":765000,"15+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K17FU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1.5V@1µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7pF@3V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:20Ω@10mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN5L06TK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:1.2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:N沟道
导通电阻:2Ω@50mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RU1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":57000,"14+":30000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RUM002N05T2L
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:25pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RYM002N05T2CL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RE1J002YNTCL
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:800mV@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@10V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:2.2Ω@200mA,4.5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: