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    漏源电压
    50V
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    行业应用
    漏源电压: 50V
    工作温度: -55°C~150°C(TJ)
    功率: 236mW(Ta)
    当前匹配商品:3
    商品信息
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    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:236mW(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF @ 25V

    连续漏极电流:360mA(Ta)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:236mW(Ta)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:1nC @ 4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF @ 25V

    连续漏极电流:360mA(Ta)

    类型:2 N-通道(双)

    导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJT138K-AU_R1_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJT138K-AU_R1_000A1

    输入电容:50pF @ 25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:1.6 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:50V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    阈值电压:1.5V @ 250µA

    功率:236mW(Ta)

    栅极电荷:1nC @ 4.5V

    连续漏极电流:360mA(Ta)

    类型:2 N-通道(双)

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

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