采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@5V，50mA
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-65℃~+150℃
功率：250mW
阈值电压：2V@1mA
输入电容：45pF@25V
连续漏极电流：130mA
类型：1个P沟道
导通电阻：10Ω@130mA，10V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN5L06KQ-7
工作温度：-65℃~+150℃
功率：350mW
阈值电压：1V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@50mA，5V
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW
连续漏极电流：300mA
导通电阻：2Ω@5V，50mA
类型：1个N沟道
阈值电压：1V@250μA
漏源电压：50V
工作温度：-65℃~+150℃
输入电容：50pF@25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
