品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:48W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:40 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570 pF @ 25 V
连续漏极电流:14A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:100 毫欧 @ 14A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":51000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01S-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD16N05SM9A
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:72W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:80 nC @ 20 V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:900 pF @ 25 V
连续漏极电流:16A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:47 毫欧 @ 16A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":76000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LN01SS-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.6pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.8Ω@50mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138W
工作温度:-55℃~+150℃
功率:340mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:1.1nC@10V
输入电容:38pF@25V
连续漏极电流:210mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138L
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDC7002N
工作温度:-55℃~150℃
功率:700mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:510mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2Ω@510mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":42464}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01SS-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BVSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138
工作温度:150℃
功率:350mW
阈值电压:1.6V@250µA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138-G
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:1.5V@1mA
栅极电荷:2.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:27pF@25V
连续漏极电流:220mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@220mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":222000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HN01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:100mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84
功率:225mW
阈值电压:2.5V@250μA
栅极电荷:1.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:73pF@25V
连续漏极电流:130mA
类型:1个P沟道
导通电阻:8Ω@150mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":21000,"12+":33875,"15+":204000,"16+":15000,"17+":57000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-H
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"10+":12000,"14+":42000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5LP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7.4pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:23Ω@40mA,4V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS138LT3G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:1.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:200mA
类型:N沟道
导通电阻:3.5Ω@200mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUZ11-NR4941
工作温度:-55℃~150℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
包装方式:管件
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@15A,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":765000,"15+":63000}
销售单位:个
规格型号(MPN):5HP01M-TL-E
工作温度:150℃
功率:150mW
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6.2pF@10V
连续漏极电流:70mA
类型:P沟道
导通电阻:22Ω@40mA,10V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SBSS84LT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:225mW
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:2.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:36pF@5V
连续漏极电流:130mA
类型:P沟道
导通电阻:10Ω@100mA,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: