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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12000，"18+"：25980，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30A06N1，S4X
工作温度：150℃
功率：25W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12000，"18+"：25980，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK30E06N1，S1X
工作温度：150℃
功率：53W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1050pF@30V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH14006NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€32W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPN7R506NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：700mW€42W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1800pF@30V
连续漏极电流：26A
类型：N沟道
导通电阻：7.5mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12000，"18+"：25980，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：900}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12000，"18+"：25980，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180N06S4H1ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH14006NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€32W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@30V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：12000，"18+"：25980，"MI+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP120N06S4H1AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@200µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：270nC@10V
包装方式：管件
输入电容：21900pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.4mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
