品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):GT090N06K
工作温度:-55℃~150℃
功率:52W
阈值电压:2.4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1088pF@30V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@14A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055-100T1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:455pF@25V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W€5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:4.7A
类型:P沟道
导通电阻:120mΩ@3.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR
功率:950mW
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.19nF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:1个P沟道
导通电阻:78mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7309DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W€19.8W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:115mΩ@3.9A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€20W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1256pF@30V
连续漏极电流:5A€15A
类型:P沟道
导通电阻:48mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIS4604DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~+150℃
功率:3.6W€33.7W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:960pF@30V
连续漏极电流:14.6A€44.4A
类型:1个N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KC7TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.4nF@30V
连续漏极电流:10.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SH8KC7TB1
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:22nC@10V
输入电容:1.4nF@30V
连续漏极电流:10.5A
类型:2个N沟道
导通电阻:12.4mΩ@10.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPN7R506NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:700mW€42W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:26A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: