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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€15A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€15A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ5465A_R2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€25W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€16A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@8A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€15A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€15A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJQ4465AP-AU_R2_000A1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€20W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1256pF@30V
连续漏极电流：5A€15A
类型：P沟道
导通电阻：48mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7309DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€19.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@3.9A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI9407BDY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
