采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76439S3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：180W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2745pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@75A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA16EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：500W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：84nC@10V
输入电容：5.485nF@25V
连续漏极电流：278A
类型：1个N沟道
导通电阻：3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOT1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€333W
阈值电压：3.7V@250µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3690pF@25V
连续漏极电流：11A€140A
类型：N沟道
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOB1608L
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
漏源电压：60V
连续漏极电流：11A€140A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：3.7V@250µA
功率：2.1W€333W
输入电容：3690pF@25V
导通电阻：7.3mΩ@20A，10V
栅极电荷：84nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
