采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€125W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：45.6A€2.4A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：685，"19+"：14031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI3306GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4685pF@50V
连续漏极电流：71A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB5800
工作温度：-55℃~+175℃
功率：242W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.625nF@15V
连续漏极电流：14A€80A
类型：1个N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIDR626LEP-T1-RE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：7.5W€150W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
连续漏极电流：48.7A€218A
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：685，"19+"：14031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI3306GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4685pF@50V
连续漏极电流：71A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：685，"19+"：14031}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI3306GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：46W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4685pF@50V
连续漏极电流：71A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@43A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR626LDP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：135nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5900pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：1.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
