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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
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栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18532KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4680pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@100A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：861，"22+"：6251，"23+"：14215}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7648M2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€63W
阈值电压：4.9V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2170pF@25V
连续漏极电流：14A€68A
类型：N沟道
导通电阻：7mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ISZ034N06LM5ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€83W
阈值电压：2.3V@36µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3500pF@30V
连续漏极电流：19A€112A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5B
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：250psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18540Q5BT
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€195W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：53nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4230pF@30V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.2mΩ@28A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
