品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2538}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP45N06S4L08AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":14500,"18+":15716}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI45N06S4L08AKSA3
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2538}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP45N06S4L08AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:45A
类型:N沟道
导通电阻:8.2mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W€156W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18532NQ5B
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:3.4V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.4mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR182DP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:69.4W
阈值电压:3.6V@250µA
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3250pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB45N06S4L08ATMA3
工作温度:-55℃~+175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4.78nF@25V
连续漏极电流:45A
类型:1个N沟道
导通电阻:7.9mΩ@45A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":1880,"21+":701,"23+":36658,"MI+":5626}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N06S4L08ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:2.2V@35µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4780pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.8mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86520L
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4550pF@30V
连续漏极电流:13.5A€22A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@13.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: