品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5827,"19+":2880,"22+":1150,"23+":260}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S4L07AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT08N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:240pF@30V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MINOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MDT08N06
工作温度:-55℃~+175℃
功率:107W
阈值电压:3V@250μA
栅极电荷:72nC@10V
输入电容:3nF@30V
连续漏极电流:80A
类型:1个N沟道
反向传输电容:240pF@30V
导通电阻:7mΩ@10V,20A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N06-09L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3065pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N06-09L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3065pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":5827,"19+":2880,"22+":1150,"23+":260}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPI80N06S4L07AKSA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@40µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5680pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:6.7mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH1,LQ
工作温度:150℃
功率:800mW€170W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:136A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50N06-09L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3065pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH2R306NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€78W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@30V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON6242
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.3W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:72nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6370pF@30V
连续漏极电流:18.5A€85A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: