品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30E06N1,S1X
工作温度:150℃
功率:53W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
工作温度:150℃
功率:1.6W€32W
阈值电压:4V@200µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@30V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TK30A06N1,S4X
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@200µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1050pF@30V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPH14006NH,L1Q
阈值电压:4V@200µA
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
导通电阻:14mΩ@7A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.6W€32W
连续漏极电流:14A
输入电容:1300pF@30V
栅极电荷:16nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.2W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:825pF@30V
连续漏极电流:4.3A€10A
类型:N沟道
导通电阻:69mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6069SE-13
功率:2.2W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
类型:N沟道
连续漏极电流:4.3A€10A
漏源电压:60V
导通电阻:69mΩ@3A,10V
输入电容:825pF@30V
栅极电荷:16nC@10V
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存: