品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ5866A-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€68.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1574pF@25V
连续漏极电流:7A€40A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C650NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€125W
阈值电压:2.2V@98µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2546pF@25V
连续漏极电流:21A€111A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.2mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SP8K32HZGTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@10V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:65mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138BKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:320mW
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3.5Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB00EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1700pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DWH6327XTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:300mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:3Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:714pF@30V
连续漏极电流:23.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":35000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC155N06NDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2250pF@30V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002BKXBZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:285mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:260mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:2.8Ω@200mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFD5C674NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37W
阈值电压:2.2V@25µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:640pF@25V
连续漏极电流:11A€42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:14.4mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5C680NLWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€19W
阈值电压:2.2V@13µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:7.5A€26A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:28mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002DW-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:200mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L26AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.2V@10µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1430pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:26mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L11ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:65W
阈值电压:2.2V@28µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4020pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:11.2mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002V
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:280mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002AKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6066SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:502pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:66mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPG20N06S4L14AATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2890pF@25V
连续漏极电流:20A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.7mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN66D0LDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:23pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:6Ω@115mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1926DL-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:18.5pF@30V
连续漏极电流:370mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@340mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1026X-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:250mW
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:30pF@25V
连续漏极电流:305mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:1.4Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: