采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CH C5G
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM170N06CP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：46W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：28.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP45NF06
工作温度：175℃
功率：80W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：58nC@10V
包装方式：管件
输入电容：980pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS5C604NLT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W€200W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8900pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：1.2mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C684NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：27W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：700pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：16.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M19-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：62W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13.8nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1814pF@25V
连续漏极电流：38A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
