品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002AKS,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW
阈值电压:2.1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002AKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW€1.06W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.43nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138AKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:325mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX138AKSX
工作温度:-55℃~150℃
功率:325mW
阈值电压:1.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20pF@30V
连续漏极电流:170mA
类型:2N沟道(双)
导通电阻:4.5Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NX7002AKW,115
工作温度:-55℃~150℃
功率:220mW€1.06W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:0.43nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:4.5Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CFS,LF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CFS,LF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002H-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:7.5Ω@50mA,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF
工作温度:150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K72CFS,LF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.35nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17pF@10V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:3.9Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSS84PH6327XTSA2
工作温度:-55℃~150℃
功率:360mW
阈值电压:2V@20µA
栅极电荷:1.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:19pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:P沟道
导通电阻:8Ω@170mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002Q-7-F
工作温度:-55℃~150℃
功率:370mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:0.233nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:50pF@25V
连续漏极电流:170mA
类型:N沟道
导通电阻:5Ω@500mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: