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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP048PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF140N6F7
工作温度：175℃
功率：33W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：55nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3100pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@78A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP054PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@54A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP054PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4500pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@54A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：156nC@20V
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP064PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@78A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP048PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：190W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2400pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@44A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM120N06LCP ROG
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2118pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RX3L07BGNC16
功率：96W
阈值电压：2.5V@50μA
栅极电荷：55nC@10V
输入电容：2.6nF@30V
连续漏极电流：70A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L07BATTL1
工作温度：150℃
功率：101W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：105nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6700pF@30V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：12.7mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RFP70N06
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@20V
包装方式：管件
输入电容：2250pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@70A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPH3R206NC，L1XHQ
工作温度：175℃
功率：960mW€132W
阈值电压：2.5V@500µA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4180pF@10V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：3.2mΩ@35A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
