采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
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连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
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输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
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功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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栅极电荷：8.3nC@5V
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输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.3nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@4.5V
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输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M42-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@1mA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：867pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：37mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7M33-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：10.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：628pF@25V
连续漏极电流：24A
类型：N沟道
导通电阻：33mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C668NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：44W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：8.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：8.9mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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