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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
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栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
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连续漏极电流：25A
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
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功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
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阈值电压：3.6V@250µA
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栅极电荷：37nC@10V
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连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
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栅极电荷：15nC@10V
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输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
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功率：57W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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功率：57W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
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栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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功率：57W
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栅极电荷：37nC@10V
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输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
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漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
类型：N沟道
阈值电压：2.5V@100µA
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连续漏极电流：25A
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：855pF@10V
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
功率：57W
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输入电容：1710pF@30V
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.6V@250µA
连续漏极电流：60A
ECCN：EAR99
栅极电荷：37nC@10V
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.6V@250µA
连续漏极电流：60A
栅极电荷：37nC@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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功率：57W
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
阈值电压：3.6V@250µA
连续漏极电流：60A
栅极电荷：37nC@10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
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类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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连续漏极电流：60A
栅极电荷：37nC@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1710pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
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