品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
包装方式:卷带(TR)
阈值电压:2.5V@250µA
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
类型:P沟道
输入电容:550pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2260
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:12nC@10V
输入电容:426pF@30V
功率:2.8W
连续漏极电流:6A
ECCN:EAR99
导通电阻:44mΩ@6A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
导通电阻:147mΩ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
输入电容:550pF@30V
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
导通电阻:147mΩ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
输入电容:550pF@30V
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
导通电阻:147mΩ
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
输入电容:550pF@30V
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:147mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:147mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:130mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:130mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:147mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
导通电阻:130mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:426pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:147mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N-Channel
导通电阻:147mΩ
漏源电压:1.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2362ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:4.3A
类型:N沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2361ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:550pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:177mΩ@2.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS462EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AON2260
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:426pF@30V
连续漏极电流:6A
类型:N沟道
导通电阻:44mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: