采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：1000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMN6A09GQTA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：3V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24.2nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：7.5A
类型：MOSFET
导通电阻：40mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：平伟实业
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：8N06G
功率：13.5W
阈值电压：2.5V@250μA
连续漏极电流：7.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：82mΩ@10V，4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STS7NF60L
工作温度：150℃
功率：2.5W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：34nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：19.5mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA86551L
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1235pF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SH8JC5TB1
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2.63nF@30V
连续漏极电流：7.5A
类型：2个P沟道
导通电阻：32mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
