采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：439，"19+"：1600}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3816-DL-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€50W
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL140N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€125W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：145A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@16A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJK0656DPB-00#J5
工作温度：150℃
功率：65W
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3000pF@10V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"23+"：29429，"24+"：3173，"MI+"：6348}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N06S4L12ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：50W
阈值电压：2.2V@20µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2890pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：12mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1750pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC86520DC
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W€73W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：40nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2790pF@30V
连续漏极电流：17A€40A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@17A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
