采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：3692}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S4L07AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N06S4L07ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：3692}
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S4L07AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：N0604N-S19-AY
工作温度：150℃
功率：1.5W€156W
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4150pF@25V
连续漏极电流：82A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@41A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AONS66614
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.2W€78W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3310pF@30V
连续漏极电流：34.5A€85A
类型：N沟道
导通电阻：2.9mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7164DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W€104W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2830pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：6.25mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：19000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP80N06S4L07AKSA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N06S4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.2V@40µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5680pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：6.3mΩ@90A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
