采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU014PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：25W€2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：11nC@10V
包装方式：管件
输入电容：300pF@25V
连续漏极电流：7.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：5000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC034N06NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：2.1V
栅极电荷：33nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：100A
类型：MOSFET
导通电阻：3.4mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT025N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：120W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：93nC@10V
输入电容：5.95nF@25V
连续漏极电流：95A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.2mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK2615(TE12L.F)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
栅极电荷：6nC@10V
输入电容：150pF@10V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
反向传输电容：25pF@10V
导通电阻：230mΩ@10V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LFDF-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：900mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：3000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS86500L
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：1V
栅极电荷：165nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：25A
类型：MOSFET
导通电阻：2.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：MCT03N06-TP
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.2W
阈值电压：500mV
栅极电荷：6nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：3A
类型：MOSFET
导通电阻：105mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@10V，3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6110SVTQ-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.8W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：17.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7.3A
类型：1个P沟道
导通电阻：105mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT616MLSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.39W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：785pF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
工作温度：-55℃~+150℃
功率：200mW
阈值电压：2.5V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIJ462ADP-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€22.3W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@30V
连续漏极电流：15.8A€39.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.2mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT55N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：70W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.988nF@30V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
导通电阻：7mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD15P06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€25W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：879pF@30V
连续漏极电流：15A€4A
类型：1个P沟道
导通电阻：68mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2.3V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：320mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7000BU
工作温度：-55℃~+150℃
功率：400mW
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：03N06
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.7W
阈值电压：1.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14.6nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SN7002IXTSA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：360mW
阈值电压：1.8V@26μA
栅极电荷：900pC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：32pF@30V
连续漏极电流：200mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ042N06NSATMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W€69W
阈值电压：2.8V@36μA
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：40A€17A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.2mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
