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    漏源电压: 60V
    阈值电压: 1V @ 250µA
    当前匹配商品:4
    商品信息
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B 起订数50000个

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:500mW(Ta)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:0.9 nC @ 4.5 V

    输入电容:64 pF @ 25 V

    连续漏极电流:320mA(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 欧姆 @ 100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数50个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数50个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:430mW(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:140 pF @ 25 V

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:430mW(Tc)

    阈值电压:1V @ 250µA

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    输入电容:140 pF @ 25 V

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ1464EEH-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    阈值电压:1V @ 250µA

    输入电容:140 pF @ 25 V

    栅极电荷:4.1 nC @ 4.5 V

    功率:430mW(Tc)

    导通电阻:1.41Ohm @ 2A,1.5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    连续漏极电流:440mA(Tc)

    类型:N 通道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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