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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS4604DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：455pF@25V
连续漏极电流：3A
类型：1个N沟道
导通电阻：110mΩ@10V，1.5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.6W€33.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：22nC@10V
输入电容：960pF@30V
连续漏极电流：14.6A€44.4A
类型：1个N沟道
导通电阻：9.5mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
