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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：34nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：12A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，7.2A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@6.6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFI9Z34GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：34nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1100pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：140mΩ@7.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9014PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：P沟道
导通电阻：500mΩ@3.1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：4V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
输入电容：270pF@25V
栅极电荷：12nC@10V
连续漏极电流：1.8A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
功率：1.8W
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
类型：1个P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@10V，5.3A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP170PH6327
功率：1.8W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：1.9A
类型：1个P沟道
导通电阻：300mΩ@10V，1.9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2333
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR9024TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：19nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：5.1A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，3.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：19nC@10V
输入电容：570pF@25V
连续漏极电流：8.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：280mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W€3.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：12nC@10V
输入电容：270pF@25V
连续漏极电流：1.8A
类型：1个P沟道
导通电阻：500mΩ@10V，1.1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
