品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.2W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:6nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:262pF@20V
连续漏极电流:1.8A
类型:P沟道
导通电阻:250mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2000}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1446-H
工作温度:150℃
功率:1W€23W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16nC@10V
包装方式:散装
输入电容:750pF@20V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:51mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":2017}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1975}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1600,"16+":1180}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":17839}
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1342-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1150pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-W
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SFT1342-E
工作温度:150℃
功率:15W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:袋
输入电容:1150pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:62mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":765,"15+":150783,"16+":365000,"21+":1806,"22+":2372}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1975}
销售单位:个
规格型号(MPN):VEC2415-TL-E
工作温度:150℃
功率:1W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:505pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1600,"16+":1180}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ635-TL-E
功率:1W€30W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
输入电容:2.2nF@20V
连续漏极电流:12A
类型:1个P沟道
导通电阻:60mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":2502}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVATS5A304PLZT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:108W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13000pF@20V
连续漏极电流:120A
类型:P沟道
导通电阻:6.5mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.9W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@20V
连续漏极电流:4A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5A160PLZT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€200W
阈值电压:2.6V@1mA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7700pF@20V
连续漏极电流:15A€100A
类型:P沟道
导通电阻:7.7mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":1600}
销售单位:个
规格型号(MPN):NDBA170N06AT4H
工作温度:150℃
功率:90W
阈值电压:2.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:280nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15800pF@20V
连续漏极电流:170A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: