品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:275mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:310mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:350mW€3.1W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@30V
导通电阻:2.2Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N70023R-G
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:720pC@10V
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N70023R-G
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:720pC@10V
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XP262N70023R-G
功率:350mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:720pC@10V
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:350mW€3.1W
栅极电荷:1nC@10V
工作温度:-55℃~+150℃
导通电阻:2.2Ω@10V,200mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@30V
阈值电压:2.1V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:350mA
输入电容:23.6pF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
类型:1个N沟道
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
阈值电压:2.1V@250μA
漏源电压:60V
连续漏极电流:115mA
输入电容:20pF@25V
反向传输电容:4pF@25V
功率:200mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3K7002CFU,LF(T
功率:150mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:170mA
类型:1个N沟道
导通电阻:3.9Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:杰盛微
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2N7002
功率:200mW
阈值电压:2.1V@250μA
输入电容:20pF@25V
连续漏极电流:115mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:4pF@25V
导通电阻:1.2Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TOREX
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:400mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:720pC@10V
输入电容:30pF@20V
连续漏极电流:300mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@100mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:320mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:40pF@10V
连续漏极电流:400mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.5Ω@10V,100mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:310mW€1.67W
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:370mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:600pC@4.5V
输入电容:50pF@10V
连续漏极电流:350mA
类型:1个N沟道
导通电阻:1.6Ω@10V,500mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:265mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@30V
导通电阻:2.2Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:265mW
阈值电压:2.1V@250μA
栅极电荷:1nC@10V
输入电容:23.6pF@10V
连续漏极电流:330mA
类型:1个N沟道
反向传输电容:3pF@30V
导通电阻:2.2Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:310mW
阈值电压:2.1V@250μA
连续漏极电流:270mA
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: