采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：275mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：350mW€3.1W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XP262N70023R-G
功率：350mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：350mW€3.1W
栅极电荷：1nC@10V
工作温度：-55℃~+150℃
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：350mA
输入电容：23.6pF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
阈值电压：2.1V@250μA
漏源电压：60V
连续漏极电流：115mA
输入电容：20pF@25V
反向传输电容：4pF@25V
功率：200mW
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SSM3K7002CFU，LF(T
功率：150mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：170mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3.9Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002
功率：200mW
阈值电压：2.1V@250μA
输入电容：20pF@25V
连续漏极电流：115mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：4pF@25V
导通电阻：1.2Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TOREX
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：400mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：720pC@10V
输入电容：30pF@20V
连续漏极电流：300mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：320mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：40pF@10V
连续漏极电流：400mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，100mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW€1.67W
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：370mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：600pC@4.5V
输入电容：50pF@10V
连续漏极电流：350mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：265mW
阈值电压：2.1V@250μA
栅极电荷：1nC@10V
输入电容：23.6pF@10V
连续漏极电流：330mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：3pF@30V
导通电阻：2.2Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：310mW
阈值电压：2.1V@250μA
连续漏极电流：270mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8Ω@10V，200mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
