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    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF 起订11个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订10000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订10000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J356R,LF 起订23个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J356R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:8.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:330pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:P沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装
    Microchip Mosfet场效应管 TN2106N3-G 起订4个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TN2106N3-G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:740mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订1个装
    Microchip Mosfet场效应管 2N6660 起订1个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N6660

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:

    输入电容:50pF@24V

    连续漏极电流:410mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订83个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订83个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LVT-7 起订17个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:820mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:630mA

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK2615(TE12L.F) 起订8个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 2SK2615(TE12L.F) 起订8个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2615(TE12L.F)

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:25pF@10V

    导通电阻:230mΩ@10V,1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PHB32N06LT,118 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PHB32N06LT,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:97W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:17nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1280pF@25V

    连续漏极电流:34A

    类型:N沟道

    导通电阻:37mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装
    MCC Mosfet场效应管 2N7002KWHE3-TP 起订500个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KWHE3-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:200mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:340mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J168F,LXHF 起订5个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J168F,LXHF 起订5个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.55Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-7 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,235 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,235

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J168F,LXHF 起订9000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J168F,LXHF 起订9000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J168F,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:600mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:82pF@10V

    连续漏极电流:400mA

    类型:P沟道

    导通电阻:1.55Ω@200mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP610DL-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP610DL-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:310mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.56nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.6pF@25V

    连续漏极电流:180mA

    类型:P沟道

    导通电阻:10Ω@100mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订64个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订64个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1909

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订42个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订42个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订15000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订15000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K2615R,LF 起订1000个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K2615R,LF

    工作温度:150℃

    功率:1W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:150pF@10V

    连续漏极电流:2A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2054-T1-AZ 起订5000个装
    RENESAS Mosfet场效应管 2SK2054-T1-AZ 起订5000个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"15+":14000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:530pF@10V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:200mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ 起订500个装
    NEC Mosfet场效应管 2SK3058-Z-E1-AZ 起订500个装

    品牌:NEC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":1000}

    包装规格(MPQ):156psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):2SK3058-Z-E1-AZ

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:2.1nF@10V

    连续漏极电流:55A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:17mΩ@28A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1909

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订9000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMBF170,215 起订9000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMBF170,215

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:830mW

    阈值电压:2V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:5Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN61D8LQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN61D8LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:390mW

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:0.74nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12.9pF@12V

    连续漏极电流:470mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8Ω@150mA,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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