品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
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栅极电荷:15.1nC@10V
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输入电容:660pF@10V
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类型:P沟道
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漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
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类型:P沟道
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漏源电压:60V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
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栅极电荷:15.1nC@10V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14621}
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销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2857-T1-AZ
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
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栅极电荷:15.1nC@10V
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输入电容:660pF@10V
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类型:P沟道
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6956}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2109-T1-AZ
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6956}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2109-T1-AZ
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输入电容:111pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
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输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
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连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14621}
包装规格(MPQ):606psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2857-T1-AZ
功率:2W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:散装
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类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":6956}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2109-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:111pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:800mΩ@300mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3A
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导通电阻:200mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":14000}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2054-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:530pF@10V
连续漏极电流:3A
类型:1个N沟道
导通电阻:200mΩ@1.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
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导通电阻:300mΩ@1.5A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
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品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":4550}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SJ358-T1-AZ
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14621}
包装规格(MPQ):606psc
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2857-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.6nC@10V
包装方式:散装
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连续漏极电流:4A
类型:1个N沟道
导通电阻:150mΩ@2.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
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类型:P沟道
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SSM3J351R,LF
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@10V
连续漏极电流:3.5A
类型:P沟道
导通电阻:134mΩ@1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2109-T1-AZ
功率:2W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
输入电容:111pF@10V
连续漏极电流:500mA
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包装清单:商品主体 * 1
库存: