品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:610mW€61W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:1.625nF@30V
连续漏极电流:26A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.4mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
工作温度:-55℃~+175℃
功率:65W
阈值电压:2.5V@200μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1.1nF@10V
连续漏极电流:20A
类型:1个N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
阈值电压:2.5V@200μA
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
功率:65W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1.1nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:200mW
阈值电压:2.5V@200μA
输入电容:34pF@30V
连续漏极电流:210mA
类型:1个P沟道
导通电阻:5.3Ω@210mA,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPN12006NC,L1XHQ
阈值电压:2.5V@200μA
连续漏极电流:20A
导通电阻:12mΩ@10A,10V
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
功率:65W
工作温度:-55℃~+175℃
ECCN:EAR99
输入电容:1.1nF@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.6W€34W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:2nF@30V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
功率:1.6W€34W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:2nF@30V
连续漏极电流:17A
类型:1个N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
阈值电压:2.5V@200μA
连续漏极电流:17A
功率:1.6W€34W
类型:1个N沟道
导通电阻:11.4mΩ@8.5A,10V
漏源电压:60V
栅极电荷:23nC@10V
输入电容:2nF@30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RJ1L12CGNTLL
功率:166W
阈值电压:2.5V@200μA
栅极电荷:139nC@10V
输入电容:7.1nF@30V
连续漏极电流:120A
类型:1个N沟道
导通电阻:3.4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: