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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：610mW€61W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.625nF@30V
连续漏极电流：26A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.5V@200μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.1nF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：200mW
阈值电压：2.5V@200μA
输入电容：34pF@30V
连续漏极电流：210mA
类型：1个P沟道
导通电阻：5.3Ω@210mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：XPN12006NC，L1XHQ
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：20A
导通电阻：12mΩ@10A，10V
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
功率：65W
工作温度：-55℃~+175℃
ECCN：EAR99
输入电容：1.1nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：1.6W€34W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
连续漏极电流：17A
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：2.5V@200μA
连续漏极电流：17A
功率：1.6W€34W
类型：1个N沟道
导通电阻：11.4mΩ@8.5A，10V
漏源电压：60V
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：2nF@30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RJ1L12CGNTLL
功率：166W
阈值电压：2.5V@200μA
栅极电荷：139nC@10V
输入电容：7.1nF@30V
连续漏极电流：120A
类型：1个N沟道
导通电阻：3.4mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
