采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：180mA
类型：2个N沟道
导通电阻：6Ω@10V，115mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：310mW
阈值电压：2V@250μA
输入电容：50pF@25V
连续漏极电流：230mA
类型：2个N沟道
导通电阻：7.5Ω@5V，50mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：280mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：700pC@4.5V
输入电容：24.5pF@20V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：1.6Ω@50mA，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：6557}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN6001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.3pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN6001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.3pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIOTEC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MMFTN6001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：530mW
阈值电压：2V@250μA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：23.3pF@25V
连续漏极电流：440mA
类型：1个N沟道
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：LRC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：S-L2N7002SLT1G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：440pC@4.5V
输入电容：35pF@25V
连续漏极电流：380mA
类型：1个N沟道
反向传输电容：5pF@25V
导通电阻：2.8Ω@10V，500mA
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT6568J
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：50nC@Vgs=10V
输入电容：1.92nF@Vds=25V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：116pF@Vds=25V
导通电阻：56mΩ@10V，5A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFSC1D6N06CL
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.8W€166W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6.66nF@25V
连续漏极电流：36A€235A
类型：1个N沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D4LDW-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：330mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：1.04nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：41pF@30V
连续漏极电流：261mA
类型：2个N沟道
导通电阻：3Ω@200mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LT-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：300mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：400pC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：24pF@25V
连续漏极电流：210mA
类型：1个N沟道
导通电阻：5Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN65D8LV-7
工作温度：-55℃~+150℃
功率：370mW
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：870pC@10V
输入电容：22pF@25V
连续漏极电流：310mA
类型：1个N沟道
导通电阻：3Ω@115mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
