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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMTH6009LPSQ-13
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.8W€136W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：33.5nC@10V
输入电容：1.925nF@30V
连续漏极电流：11.76A€89.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：27W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：8.4nC@5V
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@4.8A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：2.1W€55W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：22nC@5V
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：65mΩ@5V，9A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.36W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@5V
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"05+"：2591}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD15N06LT4G
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@5V
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
导通电阻：100mΩ@7.5A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRLZ14PBF-BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：43W
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.36W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：32nC@5V
输入电容：990pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：48mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：1.3W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：8.4nC@5V
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：1.7A
类型：1个N沟道
导通电阻：200mΩ@5V，1A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：2413
规格型号(MPN)：NTD24N06LT4G
包装方式：卷带（TR）
栅极电荷：32nC@5V
类型：1个N沟道
输入电容：1.14nF@25V
导通电阻：45mΩ@5V，10A
漏源电压：60V
工作温度：-55℃~+175℃
连续漏极电流：24A
阈值电压：2V@250μA
ECCN：EAR99
功率：1.36W€62.5W
包装清单：商品主体 * 1
库存：
