品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.4W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:910pF@24V
连续漏极电流:4.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM4946DCS RLG
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
输入电容:910pF@24V
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
类型:2N沟道(双)
功率:2.4W
漏源电压:60V
阈值电压:3V@250µA
连续漏极电流:4.5A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):181psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMD8260L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:散装
输入电容:5245pF@30V
连续漏极电流:15A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:5.8mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4900DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:665pF@15V
连续漏极电流:5.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:58mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4946CDY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€2.8W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@30V
连续漏极电流:5.2A€6.1A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40.9mΩ@5.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9945
工作温度:-55℃~150℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:345pF@25V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMT6018LDR-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:869pF@30V
连续漏极电流:8.8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:17mΩ@8.2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7220DN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:3.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:60mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6070SSD-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.2W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:588pF@30V
连续漏极电流:3.3A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:80mΩ@12A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN6040SSDQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1287pF@25V
连续漏极电流:5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:40mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: