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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NLT1G-UIL5 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NLT1G-UIL5 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C612NLT1G-UIL5

    栅极电荷:91nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:36A€235A

    导通电阻:1.5mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:3.8W€167W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055L108T1G 起订40个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055L108T1G 起订40个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055L108T1G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:15nC@5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:1.3W

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C612NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C612NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C612NLAFT1G

    栅极电荷:91nC@10V

    连续漏极电流:38A€250A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.36mΩ@50A,10V

    功率:3.8W€167W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    输入电容:2164pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.7W€79W

    栅极电荷:33.7nC@10V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    功率:3.9W€200W

    输入电容:8900pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G

    输入电容:2880pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:26A€133A

    功率:4W€100W

    类型:N沟道

    栅极电荷:40.7nC@10V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G

    包装方式:卷带(TR)

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    功率:3.9W€200W

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:38A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订450个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLAFT1G 起订450个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:52nC@4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:287A

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    输入电容:8900pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订200个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订273个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订273个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":7179}

    规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG

    栅极电荷:91nC@10V

    连续漏极电流:38A€250A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.36mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:3.8W€167W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055L108T1G 起订4个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055L108T1G 起订4个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055L108T1G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:15nC@5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:1.3W

    连续漏极电流:3A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:120mΩ@1.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT3G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT3G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT3G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    功率:3.9W€200W

    输入电容:8900pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    栅极电荷:34nC@10V

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:79W

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    输入电容:2164pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.7W€79W

    栅极电荷:33.7nC@10V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD09P06PLGBTMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1

    连续漏极电流:9.7A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    导通电阻:250mΩ@6.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMJS1D6N06CLTWG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"21+":7179}

    规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG

    栅极电荷:91nC@10V

    连续漏极电流:38A€250A

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6660pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.36mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    功率:3.8W€167W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 SVD5865NLT4G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD5865NLT4G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:29nC@10V

    输入电容:1400pF@25V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:3.1W€71W

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:16mΩ@19A,10V

    连续漏极电流:10A€46A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LPS-13

    连续漏极电流:11.76A€89.5A

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:10mΩ@20A,10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    输入电容:1925pF@30V

    ECCN:EAR99

    功率:2.8W€136W

    栅极电荷:15.6nC@4.5V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C638NLT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G

    输入电容:2880pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:26A€133A

    功率:4W€100W

    类型:N沟道

    栅极电荷:40.7nC@10V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06LT4G 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD18N06LT4G 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD18N06LT4G

    栅极电荷:22nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€55W

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:65mΩ@9A,5V

    输入电容:675pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055L104T4G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD3055L104T4G

    输入电容:440pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:20nC@5V

    类型:N沟道

    连续漏极电流:12A

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:104mΩ@6A,5V

    功率:1.5W€48W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C645NLWFAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G

    栅极电荷:34nC@10V

    导通电阻:4mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2200pF@50V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    功率:79W

    连续漏极电流:22A

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C604NLWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C604NLWFAFT1G

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:52nC@4.5V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:200W

    阈值电压:2V@250µA

    连续漏极电流:287A

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    输入电容:8900pF@25V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C604NLT1G-UIL3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:40A€287A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:1.2mΩ@50A,10V

    功率:3.9W€200W

    输入电容:8900pF@25V

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:120nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3Q-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:3.2W€60W

    栅极电荷:33.5nC@10V

    输入电容:1925pF@30V

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C646NLAFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G

    输入电容:2164pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    功率:3.7W€79W

    栅极电荷:33.7nC@10V

    连续漏极电流:20A€93A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    导通电阻:4.7mΩ@50A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20P06LT4G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20P06LT4G

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:15.5A

    栅极电荷:26nC@5V

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    阈值电压:2V@250µA

    功率:65W

    输入电容:1190pF@25V

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@7.5A,5V

    包装清单:商品主体 * 1

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