品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C612NLT1G-UIL5
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:36A€235A
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C612NLAFT1G
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G
输入电容:2880pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:26A€133A
功率:4W€100W
类型:N沟道
栅极电荷:40.7nC@10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G
包装方式:卷带(TR)
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
连续漏极电流:38A
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLAFT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:287A
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":7179}
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTF3055L108T1G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:15nC@5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:1.3W
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:120mΩ@1.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT3G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
栅极电荷:34nC@10V
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:79W
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD09P06PLGBTMA1
连续漏极电流:9.7A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:450pF@25V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
类型:P沟道
ECCN:EAR99
导通电阻:250mΩ@6.8A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":7179}
规格型号(MPN):NVMJS1D6N06CLTWG
栅极电荷:91nC@10V
连续漏极电流:38A€250A
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6660pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.36mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
功率:3.8W€167W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5865NLT4G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:29nC@10V
输入电容:1400pF@25V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:3.1W€71W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:16mΩ@19A,10V
连续漏极电流:10A€46A
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LPS-13
连续漏极电流:11.76A€89.5A
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:10mΩ@20A,10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
输入电容:1925pF@30V
ECCN:EAR99
功率:2.8W€136W
栅极电荷:15.6nC@4.5V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C638NLT1G
输入电容:2880pF@25V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:26A€133A
功率:4W€100W
类型:N沟道
栅极电荷:40.7nC@10V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
导通电阻:3mΩ@50A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD18N06LT4G
栅极电荷:22nC@5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W€55W
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:65mΩ@9A,5V
输入电容:675pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD3055L104T4G
输入电容:440pF@25V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:20nC@5V
类型:N沟道
连续漏极电流:12A
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:104mΩ@6A,5V
功率:1.5W€48W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
栅极电荷:34nC@10V
导通电阻:4mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
类型:N沟道
漏源电压:60V
功率:79W
连续漏极电流:22A
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C604NLWFAFT1G
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:52nC@4.5V
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2V@250µA
连续漏极电流:287A
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C604NLT1G-UIL3
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:40A€287A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:1.2mΩ@50A,10V
功率:3.9W€200W
输入电容:8900pF@25V
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6009LK3Q-13
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14.2A€59A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:3.2W€60W
栅极电荷:33.5nC@10V
输入电容:1925pF@30V
导通电阻:10mΩ@13.5A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C646NLAFT1G
输入电容:2164pF@25V
包装方式:卷带(TR)
功率:3.7W€79W
栅极电荷:33.7nC@10V
连续漏极电流:20A€93A
类型:N沟道
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
导通电阻:4.7mΩ@50A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD20P06LT4G
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:15.5A
栅极电荷:26nC@5V
漏源电压:60V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2V@250µA
功率:65W
输入电容:1190pF@25V
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@7.5A,5V
包装清单:商品主体 * 1
库存: