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    漏源电压: 60V
    阈值电压: 4V@250µA
    类型: N沟道
    当前匹配商品:2700+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C612NT1G-TE 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C612NT1G-TE

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€170W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4830pF@25V

    连续漏极电流:35A€230A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装
    MCC Mosfet场效应管 MCTL295N06Y-TP 起订1个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCTL295N06Y-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:313W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:108nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8350pF@30V

    连续漏极电流:295A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF 起订55个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ14PBF 起订55个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ14PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:43W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB3006PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8970pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@170A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG 起订228个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP5426NG 起订228个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":31714,"MI+":7000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP5426NG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:215W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5800pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@60A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7370DP-T1-E3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7370DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:57nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:9.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFR014PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR014PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€25W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:7.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3006TRLPBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3006TRLPBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3006TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8970pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@170A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS106DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS106DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W€24W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@30V

    连续漏极电流:9.8A€16A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFD014PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFD014PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:310pF@25V

    连续漏极电流:1.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB86566-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB86566-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:176W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6655pF@30V

    连续漏极电流:110A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订3000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86540 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86540

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€96W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:90nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6435pF@30V

    连续漏极电流:20A€50A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7749L1TRPBF 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7749L1TRPBF 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7749L1TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12320pF@25V

    连续漏极电流:33A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@120A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTF3055-100T1G 起订99个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTF3055-100T1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:455pF@25V

    连续漏极电流:3A

    类型:N沟道

    导通电阻:110mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7749L1TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7749L1TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7749L1TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:12320pF@25V

    连续漏极电流:33A€200A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@120A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ14GPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ14GPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ14GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:11nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:200mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ48RSPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ48RSPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2400pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@43A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订214个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订214个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":3758}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB3006PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:300nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8970pF@50V

    连续漏极电流:195A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@170A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP50020E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP50020E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:管件

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.4mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ40PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ40PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 RFP50N06 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):RFP50N06

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:131W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:150nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:2020pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD32N06-1G 起订1336个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"05+":3175}

    包装规格(MPQ):75psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD32N06-1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.5W€93.75W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1725pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@16A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFIZ24GPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFIZ24GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:37W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:640pF@25V

    连续漏极电流:14A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@8.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFZ44STRLPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:67nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1900pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@31A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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