品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50028EM_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50028EM_GE3
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功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
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功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
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连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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分类:Mosfet场效应管
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功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
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输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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功率:230W
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
功率:230W
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栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.5V@250µA
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导通电阻:6mΩ@30A,10V
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
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功率:230W
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栅极电荷:145nC@10V
类型:N沟道
漏源电压:60V
阈值电压:3.5V@250µA
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导通电阻:6mΩ@30A,10V
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
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功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11900pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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规格型号(MPN):SQM120N06-06_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:145nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6495pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
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