品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":203,"20+":211}
销售单位:个
规格型号(MPN):2SK2498-AZ
功率:2W€35W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
输入电容:3.4nF@10V
连续漏极电流:50A
类型:1个N沟道
导通电阻:9mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R0-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238.4W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.327nF@25V
连续漏极电流:125A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R0-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238.4W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.327nF@25V
连续漏极电流:125A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5448}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":20946,"21+":57791,"22+":2314,"23+":2770,"MI+":18002}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":5448}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N06CTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W€294.6W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11535pF@30V
连续漏极电流:60.5A€464A
类型:N沟道
导通电阻:0.72mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y7R0-60ELX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:238.4W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:8.327nF@25V
连续漏极电流:125A
类型:1个N沟道
导通电阻:4.5mΩ@25A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: