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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
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功率：68W
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：2SJ661-1E
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包装方式：管件
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类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：68W
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
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类型：P沟道
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
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功率：68W
阈值电压：3V@1mA
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功率：68W
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功率：68W
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类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
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功率：68W
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
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ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
包装方式：卷带（TR）
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
栅极电荷：80nC@10V
阈值电压：3V@1mA
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功率：68W
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类型：P沟道
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连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
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规格型号(MPN)：2SJ661-1E
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输入电容：4360pF@20V
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类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
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规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：46，"23+"：500}
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规格型号(MPN)：2SJ661-1E
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功率：1.65W€65W
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
阈值电压：3V@1mA
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输入电容：3950pF@10V
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类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
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功率：68W
阈值电压：3V@1mA
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TJ30S06M3L，LXHQ
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功率：68W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
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连续漏极电流：30A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
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功率：1.65W€65W
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：2SJ661-1E
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类型：P沟道
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漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ30S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：68W
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栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@10V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：21.8mΩ@15A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
工作温度：150℃
功率：1.65W€65W
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4360pF@20V
连续漏极电流：38A
类型：P沟道
导通电阻：39mΩ@19A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ661-1E
输入电容：4360pF@20V
类型：P沟道
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：管件
工作温度：150℃
连续漏极电流：38A
功率：1.65W€65W
漏源电压：60V
导通电阻：39mΩ@19A，10V
包装清单：商品主体 * 1
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