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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD5867NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.3W€43W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：39mΩ@11A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD3055-150T4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：46A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD15N06-42L_T4GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：535pF@25V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK25S06N1L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：57W
阈值电压：2.5V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：855pF@10V
连续漏极电流：25A
类型：N沟道
导通电阻：36.8mΩ@12.5A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC097N06NSTATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W€43W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：13A€48A
类型：N沟道
导通电阻：9.7mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD20N06TM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€38W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@25V
连续漏极电流：16.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：63mΩ@10V，8.4A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2245
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：2241
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-150T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2361AEES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：620pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@2.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40ENAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：652mW€7.5W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：4.2A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@4.2A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6013LSS-13
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.081nF@30V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：14.3mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SJ598-ZK-E1-AZ
工作温度：150℃
功率：1W€23W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：720pF@10V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：130mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-150T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€28.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：280pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：150mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ100N06NSATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€36W
阈值电压：3.3V@14µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1075pF@30V
连续漏极电流：40A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
