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    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

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    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 NTD3055-094T4G 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:1.5W€48W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:94mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订2500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订2500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订3个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订17500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订17500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订7500个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订7500个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7308DN-T1-E3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.2W€19.8W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:20nC@10V

    输入电容:665pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:58mΩ@10V,5.4A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订5000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订5000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订25000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW7N06A_R2_00001 起订25000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW7N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:6.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订250个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订250个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N06A-AU_L2_000A1 起订1000个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N06A-AU_L2_000A1

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:48.4W€2.4W

    阈值电压:2.5V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.173nF@25V

    连续漏极电流:25A€5.5A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:34mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订8000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订8000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:345pF@25V

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    阈值电压:2V@250μA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    类型:1个N沟道

    漏源电压:60V

    输入电容:345pF@25V

    工作温度:-65℃~+150℃

    功率:3W

    栅极电荷:20nC@10V

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    阈值电压:2V@250μA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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