采购热线 400-661-9010
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQD23N06-31L_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@25V
连续漏极电流：23A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5614P
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：759pF@30V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：105mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1059pF@30V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@14A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP6050SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.1W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1293pF@30V
连续漏极电流：4.8A
类型：P沟道
导通电阻：50mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06D5
工作温度：-55℃~+150℃
功率：69W
阈值电压：1.7V
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：45A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：9.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
