品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y22-60ELX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y22-60ELX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA093N06N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:4V@34µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3900pF@30V
连续漏极电流:43A
类型:N沟道
导通电阻:9.3mΩ@40A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y22-60ELX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2592pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:14.8mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RQ3L070ATTB
工作温度:150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@1mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@30V
连续漏极电流:25A
类型:P沟道
导通电阻:28mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SISS26LDN-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.8W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.7A€81.2A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SPD30P06PGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@1.7mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1535pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@21.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIR186LDP-T1-RE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:5W€57W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1980pF@30V
连续漏极电流:23.8A€80.3A
类型:N沟道
导通电阻:4.4mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: